最近，复旦大学的一个团队声称开发出了一种皮秒级闪存器件（称为“PoX”），其存取时间仅为400皮秒。这比 NAND 闪存的毫秒级访问时间快得多，与 DRAM 相当，同时仍然是非易失性的。有关该设备技术的详细信息发表在《自然》杂志上。
在[Yutong Xing]等人的论文中。他们将该存储器件描述为使用二维狄拉克石墨烯通道闪存结构，具有用于电子和空穴注入的热载流子注入，这意味着它能够写入和擦除。狄拉克石墨烯是指典型单层石墨烯片不寻常的电子传输特性。
所展示的是 400 皮秒的写入速度、非易失性存储以及 5 V 编程电压下的 5.5 × 10 6周期耐久性。石墨烯等狄拉克材料的独特特性使得这些写入速度比典型的硅晶体管器件快得多。
目前尚不清楚的是该技术的扩展性、功耗、耐用性和可制造性如何。
原文： https://hackaday.com/2025/04/21/pox-super-fast-graphene-based-flash-memory/