卡马尔·鲁德拉（Kamal Rudra）高中时接触半导体时，觉得这门学科相当枯燥。但当他在大学选修了一门半导体光电子学课程后，一切都改变了。他认为是这门课的教授激发了他对这项技术的兴趣。
“他的教学风格引人入胜，而且非常有效，”Rudra说道。“这让我真正爱上了这门学科。动手实验和深入的理论学习相结合，最终让我明确了这就是我想要从事的领域。”
卡马尔·鲁德拉
雇主：
纽约州奥尔巴尼的 IBM 研究中心
标题：
研发整合工程师
会员等级：
成员
母校：
印度阿拉哈巴德的尼赫鲁国立科技学院；安娜堡的密歇根大学
作为 IEEE 会员，Rudra 目前在纽约州奥尔巴尼的IBM 研究中心担任研发集成工程师，致力于新型纳米片芯片制造工艺的研究
该方法采用自对准光刻技术，为后段制程 (BEOL) 集成电路创建间距为 21 至 23 纳米的铜布线结构。该技术用于环栅晶体管，这种晶体管包含纳米片：由栅极电极包围的薄层堆叠硅片。据IBM称，纳米片可以增强对电流的控制，减少漏电，并实现更高的晶体管密度。
该制造项目是 IBM 研究部门与总部位于东京的日本半导体制造商Rapidus的联合项目。
“纳米片晶体管正在为人工智能和其他用途更快、更节能的处理器铺平道路，”Rudra说。“通过改进BEOL互连，可以减少RC延迟和电迁移，确保晶体管级的增益转化为系统级性能。”
由于他的工作，他去年被IEEE 计算机协会评选为计算机领域 30 位顶尖早期职业专业人士之一，并获得了 2,500 美元的奖金。
计算机学会的认可“增强了我的信念，让我知道自己正朝着正确的方向前进”，鲁德拉说，“并鼓励我继续突破半导体技术和计算领域的极限。”
受到物理老师的启发
和许多工程师一样，鲁德拉从小就对万物的运作原理着迷。他在印度长大，经常拆开遥控汽车，用里面的马达和电池组装新车。
他说，他的家人中没有人从事科学、技术、工程或数学工作，但科学一直让人感觉“完全自然”。
高中时期，他对STEM学科的兴趣日益加深，老师们也激发了他的热情。但真正激励他从事半导体领域研究的是印度理工学院德里分校的物理学教授谢诺伊。
作为印度阿拉哈巴德尼赫鲁国立技术学院的一名本科生，Rudra 参加了由 NPTEL 提供、由 Shenoy 授课的在线半导体光电子认证课程。
为了积累该领域的经验，从 2017 年到 2019 年，Rudra 在印度理工学院（BHU） 、瓦拉纳西、印度理工学院、克勒格普尔和中央电子工程研究所等机构完成了多次半导体制造实习。
他说：“这些实习是我第一次真正接触实验研究，并为我打下了器件物理和材料科学的基础。”
他于 2019 年获得 MNNIT 电子与通信工程学士学位。
从事制造和 FinFET 工作
毕业后，他成为班加罗尔印度科学研究所（IISc）的研究助理。
在那里，他利用外延工艺开发了一种氧化锰钒薄膜。据Photonics Media报道，该方法在晶体基底上生长氧化锰钒薄膜，使工程师能够更好地控制薄膜的厚度、成分和晶体结构。Rudra 利用该薄膜开发了一种红外光电探测器。
一年后，他加入了同样位于班加罗尔的半导体制造商格芯（GlobalFoundries） ，担任集成和良率工程师。周末，他继续在印度理工学院（IISc）工作。
“加入之前，我的期望并不高——主要是因为印度的半导体制造生态系统有限，”他说。“但我意识到，以硬件为中心的工作确实在业内兴起。这段经历为我从学术界转型到尖端工业研发埋下了种子。”
“对于任何 STEM 领域的年轻专业人士来说，IEEE 不仅仅是一种资源；它是一个发射台。”
在格芯公司任职期间，他致力于BEOL互连技术的研究，以提高公司FinFET芯片的良率。这些芯片广泛应用于汽车技术、智能手机和智能音箱。传统的平面晶体管的栅极位于平坦的硅通道之上，仅从一侧控制源极和漏极之间的电流。然而，随着晶体管尺寸的缩小，它们的可靠性降低，并且容易漏电，从而浪费电能。FinFET的开发由胡正明领导，他凭借这项发明获得了2020年IEEE荣誉勋章。FinFET的3D结构可以更好地控制电流。
2021年，鲁德拉决定继续深造，并被密歇根大学安娜堡分校电气与计算机工程硕士学位课程录取。
“我选择这所学校是因为那里有一位教授专门研究LED器件，他的研究引起了我的共鸣，”他说道。这位教授是IEEE院士米泽天（Zetian Mi ），研究的是III-V族半导体光电器件。Rudra在研究生项目的前两个学期加入了米泽天的研究团队，致力于III族氮化物基microLED的制造和特性分析。Rudra还在华盛顿州雷德蒙德的Meta公司完成了实习，在那里他开发了用于AR/VR系统的波导型光子器件的集成工艺。
“那段经历帮助我了解了光子学如何与半导体制造相交叉，”他说，“特别是在下一代显示器和可穿戴光学等新兴应用领域。”
2023年获得学位后，他加入了位于德克萨斯州奥斯汀的三星半导体公司，担任器件集成工程师。之后，他重返FinFET领域，但这次的工作重点是分析和优化14纳米节点技术的器件和前端集成，以及研究不同工艺如何影响FinFET的电气性能和良率。
一年后，他离开并加入 IBM 研究部。
“这是我职业生涯迄今为止最有成就感的决定之一，”他说。“参与这样一个影响深远的全球合作项目是一段非常棒的经历，它将继续推动我的技术和职业发展。”
自在该公司工作以来，他已申请了 22 项美国专利。
去年，他获得了一系列荣誉，包括入选《Semicon West》的“20 位 30 岁以下精英榜单”、 “美国制造工程师协会的30 位 30 岁以下精英榜单”和《Semicon Europa》的“20 位 30 岁以下精英榜单”。最近，他又入选了《奥尔巴尼商业评论》的“40 位 40 岁以下精英榜单”。
他说：“这些认可深深地激励了我——不仅是个人的里程碑，也是对我所参与的集体工作的认可，也是对我帮助塑造我道路的导师的认可。”
在 IEEE 建立重要联系
Rudra 于 2020 年加入 IEEE，此前他的研究论文“缺陷工程皱纹网络纳米结构 ZnO 中的可见光响应”被IEEE 电子器件技术与制造会议接受。他表示，自己之所以继续续订会员资格，是因为 IEEE 提供的交流机会以及帮助他及时了解半导体最新动态的技术内容。
除了IEEE计算机学会，他还是IEEE电子设备（EDS）、电子封装和光子学等学会的活跃会员。Rudra表示，这些学会“都拥有一个充满活力的网络，汇聚了在各自领域成就卓著的工程师、科学家和创新者”。
2022年，他获得了电子设备学会硕士奖学金，奖金2000美元，用于该学会相关领域的研究。他说，获得这项荣誉对他来说是一个强大的动力。
他积极参与IEEE青年专业人员协会（YP），并且是电子设备协会（Electron Devices Society）青年专业人员委员会的成员。他表示，加入这个社群让他能够接触到世界一流的专业知识，并获得资源来帮助他做出职业决策并解决技术难题。
他还是今年IEEE EDS 暑期学校组委会的成员，该学校是一个为期两天的讲座项目，面向大四学生、研究生、博士后研究员和年轻专业人士。
“我相信，对于任何一位 STEM 领域的年轻专业人士来说，IEEE 不仅仅是一种资源，更是一个启动平台，”Rudra 说。“尽早参与其中，能帮助你在技术、专业和个人方面获得成长，而这种成长很少有机构能够提供。”