北京大学在一份声明中宣称：“这是迄今为止最快、最高效的晶体管。” “最重要的是，没有任何硅的痕迹，”ZME Science 补充道。来自《南华早报》：北京大学的一个研究团队声称已经打破了芯片性能限制，并证明中国可以使用新材料完全绕过硅基障碍，在半导体竞赛中“改变车道”。由物理化学教授彭海林领导的研究人员表示，他们自行设计的2D晶体管的运行速度比英特尔和台积电的尖端3纳米硅芯片快40%，同时消耗的能源少10%……“虽然这条道路是由于当前制裁而产生的，但它也迫使研究人员从新的角度寻找解决方案，”[海林]补充道。 Tom’s Hardware 写道：“Peking 的主要创新来自于其晶体管的二维特性，这是通过使用硅以外的元素来实现的。”BiâOâSe（即氧硒化铋）是一种半导体材料，多年来一直在研究其在 1nm 以下工艺节点中的使用，这很大程度上归功于其成为二维半导体的能力。二维半导体（例如 2D BiâOâSe）在小尺寸下比硅更加灵活和坚固，即使在 10 nm 节点，硅也会降低载流子迁移率。堆叠式二维晶体管的此类突破以及从硅到铋的转变对于半导体的未来来说是令人兴奋的，也是中国工业在半导体领域竞争的必要条件。 ZME Science 添加了这一怀疑论。 “将实验室突破转化为商业芯片通常需要数年时间，有时甚至数十年……”感谢 Slashdot 读者 schwit1 分享这篇文章。
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